Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.9 A 3.2 W, 8-Pin SO-8

Name: Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.9 A 3.2 W, 8-Pin SO-8
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI4825DDY-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DP53WL-DRSTX2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 20.5mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 29.5nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 25V
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 14.9A
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 14.9A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 20.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 3.2W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.75mm
Automobilstandard = Nein