Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

205nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50A

Maximale Betriebstemperatur

150°C