Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 12.5 A 2.2 W, 8-Pin TSSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

9.8mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

112nC

Gehäusegröße

TSSOP

Höhe

1.2mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C