Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33.6 A 68 W, 4-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

30mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

45nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

33.6A

Maximale Betriebstemperatur

175°C