Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin US

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.038Ω

Durchlassspannung (Vf)

-0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

23.1nC

Gehäusegröße

US

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12A

Maximale Betriebstemperatur

150°C