Vishay TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.3 A 3.3 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.19Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19.5nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

7.3A

Maximale Betriebstemperatur

175°C