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Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SiS176LDN-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRC2FZ-DRMVPM

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
70V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
10.9mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
12.6nC
Gehäusegröße
PowerPAK 1212
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
42.3A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
39W

Produktbeschreibung

MOSFET

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