Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 107 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.0039Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.5V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 90nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 100A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 107W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
Produktbeschreibung
KFZ-N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFETTrenchFET® Leistungs-MOSFET Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045753001
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