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Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 107 W, 3-Pin TO-252

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SQD50034E_GE3

Produkt-Nr.: P-DRC3GD-DRRBFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.0039Ω
Durchlassspannung (Vf)
1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
90nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
100A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

KFZ-N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFETTrenchFET® Leistungs-MOSFET Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045753001

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