Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 113 A 48 W, 4-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

45V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.9mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

75.5nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

113A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

48W