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Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 65 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI7116BDN-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRBDW4-DRMVMJ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
7.4mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
31.4nC
Gehäusegröße
PowerPAK 1212
Höhe
0.75mm
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
65A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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