Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 58 A 31.2 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

8.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.76V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19.4nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

58A

Maximale Betriebstemperatur

150°C