Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 500 A 500 W, 4-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.94mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

101nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

500A

Maximale Betriebstemperatur

175°C