Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 335 A 104 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.58mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

124nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

335A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

104W