Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.3 A 5 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

29.2mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19.2nC

Gehäusegröße

SO-8

Höhe

1.75mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8.3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C