Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 51.4 A 71.4 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

10.8mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

42.7nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

51.4A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

71.4W