Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 85 A 80 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.0112Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 17nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK SO-8L
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 85A
- Länge
- 6.2mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 80W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 85A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L
Montageart = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0112Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 17nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.2mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET