Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 158 A 83.3 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.0026Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 61.5nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK SO-8
- Höhe
- 1.12mm
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 158A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 83.3W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET