Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18.7 A 7.4 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

10mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

46.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

18.7A

Maximale Betriebstemperatur

150°C