Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 445 A 255 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.00052Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

43nC

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

445A

Maximale Betriebstemperatur

125°C