Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 18.3 A 4.8 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

16mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

41nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

18.3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

4.8W