Vishay Symmetrischer Dual-N-Kanal Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.00137Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 30nC
- Gehäusegröße
- PowerPAIR 6 x 5FS
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 159A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 62.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Symmetrischer Dual-N-Kanal
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 159A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = PowerPAIR 6 x 5FS
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.00137Ω
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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