Vishay SUM60020E N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.4mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.5V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 151.2nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 150A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 375W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SUM60020E
Produktbeschreibung
N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® Leistungs-MOSFET Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch das Durchlaufen von Vplateaus
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045757351
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