Vishay SQS840CENW N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.02Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8 W

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12A