Vishay SQ2337CES P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / -2.2 A 2 W, 3-Pin SOT-23-3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.29Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 11.5nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- SOT-23-3
- Kabelkanaltyp
- P-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- -2.2A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SQ2337CES
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MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET