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Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SQS462EN-T1_GE3

Produkt-Nr.: P-DRDGZS-DRZ2DN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
135mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.82V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
8nC
Gehäusegröße
PowerPAK 1212
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
8A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040679399

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