Vishay SIZF5302DT Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 48.1 W, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0032Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

14.8nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

16V

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3FS

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A