Vishay SISS5812DN N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 42.8 A 44.6 W, 8-Pin PowerPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.0135Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 10nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PowerPAK
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 42.8A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 44.6W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- SISS5812DN
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 42.8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = PowerPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0135Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 10nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.40mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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