Vishay SISS52DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.00095Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

38nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

16V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

162A