Vishay SISS5208DN N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 20 V / 172 A 56.8 W, 8-Pin PowerPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0013Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

24.6nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

8V

Gehäusegröße

PowerPAK

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

172A