Vishay SISS32LDN N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0072Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17.7nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

PowerPAK

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

63A