Vishay SiSS32ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 6.1mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 24nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK 1212
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 63A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 65.7W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiSS32ADN
Produktbeschreibung
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK 1212-8S-Gehäuse mit 63 A Ableitstrom.Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM) Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM 100 % Rg- und UIS-geprüft
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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