Vishay SiSS30ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 54.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 7.4mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 19.5nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK 1212
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 54.7A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 57W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiSS30ADN
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 54.7A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.4mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 19.5nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.4mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,49 € 0,58 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 6000 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,70 € 0,83 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten