Vishay SISS176LDN N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 70 V / 42.3 A 39 W, 8-Pin PowerPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

70V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0125Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

9.2nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

12V

Gehäusegröße

PowerPAK

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

42.3A