Vishay SiSHA14DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 26.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 8mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 19.4nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK 1212
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 20A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 26.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiSHA14DN
Produktbeschreibung
N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045758068
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