Vishay SiSHA04DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

Name: Vishay SiSHA04DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SISHA04DN-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRC3GN-DRRBFY

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.00215Ω
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 22.5nC
Gehäusegröße: PowerPAK 1212-8SH
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 40A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 52W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SiSHA04DN

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 40A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8SH
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.00215Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 22.5nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 3.3mm
Automobilstandard = Nein