Vishay SISD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 198 A 57 W, 8-Pin 1212-F

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.00087Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

36.2nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

1212-F

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

198A

Maximale Betriebstemperatur

150°C