Vishay SiS892ADN Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 28 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.033Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.1nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK 1212-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 28A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 52W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Serie
- SiS892ADN
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040840539
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