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Vishay SiS892ADN Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 28 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIS892ADN-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRDGZG-DRZ2DC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.033Ω
Durchlassspannung (Vf)
0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
6.1nC
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
28A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040840539

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