Vishay SiS862ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 11mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 19.8nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK 1212
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 52A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 39W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiS862ADN
Produktbeschreibung
N-Kanal-MOSFET, 60 V (D-S)Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM) Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045841616
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