Vishay SIS4406DN N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 62.8 A 33.7 W, 8-Pin PowerPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.00475Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 23.7nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PowerPAK
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 62.8A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 33.7W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- SIS4406DN
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 62.8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = PowerPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.00475Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 23.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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