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Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 178.3 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SISS66DN-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRG8HM-DRVHYD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.00138Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
24.7nC
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8S
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
178.3A
Länge
3.3mm
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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