Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.8 A 19.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.119Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 11.8nC
- Gehäusegröße
- PowerPAK 1212-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 8.8A
- Länge
- 3.3mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 19.8W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SIS
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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