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Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 64 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SISD5806DN-T1-UE3

Produkt-Nr.: P-DJ2Z6D-DJ6N2T

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.0069Ω
Durchlassspannung (Vf)
80V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
22nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
64A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 64A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0069Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 57W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET