Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 198 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.00087Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 30V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 59nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 16V
- Gehäusegröße
- PowerPAK 1212
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 198A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 57W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiS
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 198A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.00087Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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