Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Name: Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
Brand: Vishay
Price: 2.19 EUR
Availability: InStock

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SISD5110DN-T1-UE3

Produkt-Nr.: P-DJ2Z57-DJ6N2N

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.0095Ω
Durchlassspannung (Vf): 100V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 19.3nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20V
Gehäusegröße: PowerPAK 1212
Kabelkanaltyp: N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 55A
Maximale Verlustleistung (Pd): 57W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SiS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 55A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Serie = SiS
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0095Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 57W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = Nein

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