Vishay SiRA74DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 81.2 A 46.2 W, 8-Pin SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 27nC
- Gehäusegröße
- SO-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 81.2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 46.2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiRA74DP
Produktbeschreibung
Der Vishay N-Kanal 40 V (D-S) 150 °C MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV Abgestimmt auf das niedrigste RDS-Qoss FOM 100 % Rg- und UIS-geprüft QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften Optimiert für Schwall-Lötverfahren Flexible Leitungen erhöhen die Widerstandsfähigkeit gegen Platinenbiegung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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