Vishay SiR680LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 104 W, 8-Pin SO-8

Name: Vishay SiR680LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 104 W, 8-Pin SO-8
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIR680LDP-T1-RE3

Produkt-Nr.: P-DRBZ8X-DRYHF3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.33mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 90nC
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 130A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 104W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SiR680LDP

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 130A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = SO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.33mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1.1V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein