Vishay SiR588DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 59.5 A 59.5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.008Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 14.2nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PowerPAK SO-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 59.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 59.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiR588DP
Produktbeschreibung
MOSFET
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 1,01 € 1,20 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 2850 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,44 € 0,52 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten