Vishay SiR180ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 137 A 83.3 W, 8-Pin SO-8

Name: Vishay SiR180ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 137 A 83.3 W, 8-Pin SO-8
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SiR180ADP-T1-RE3

Produkt-Nr.: P-DRBZ8V-DRYHFZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1.8mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 46.2nC
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 137A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 83.3W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SiR180ADP

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 137A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.8mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 46.2nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.25mm
Automobilstandard = Nein