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Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 359 A 278 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIRS4600DP-T1-RE3

Produkt-Nr.: P-DJ2Z6F-DJ6N2V

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.00115Ω
Durchlassspannung (Vf)
60V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
108nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8S
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
359A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 359A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8S
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.00115Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 278W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 2mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
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