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Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIR638ADP-T1-RE3

Produkt-Nr.: P-DJ2Z6N-DJ6N24

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.00088Ω
Durchlassspannung (Vf)
40V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
110nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
100A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 100A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.00088Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 104W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Breite = 6mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET